门电压调控二维GaTe磁电阻数据集

本项目系统研究了薄层GaTe的电学输运行为，发现其电阻与其晶格取向相关，呈现出电学各向异性。通过改变门电压大小，薄层GaTe的电学各向异性强度可被有效调控，在测试范围内最高可达10^3量级。基于薄层GaTe的电学各向异性，成功制备出存储性能优异且可实现多阻态存储的各向异性浮栅存储器。