基于氮化镓量子级联结构的太赫兹发射原型器件发射性能

采用太赫兹金属波导器件制备技术，制备出氮化镓量子级联结构金属波导器件。利用傅里叶红外光谱仪（FTIR）和高灵敏太赫兹波探测器在低温环境下对器件的发射光谱进行了测试。利用数字源表在氮化镓量子级联结构器件上施加偏压，实现器件的电流电压曲线的精确测量。本数据集记录了基于氮化物半导体量子级联结构太赫兹波发射性能及器件注入电流密度能力的测试方法和测试参数。结果表明，在低温条件下，数字源表测得的器件注入电流密度在3.82 kA/cm^2以上，FTIR测得的自发辐射发光光谱在 24~40 meV显现发射峰，对应频率为5.81~9.68 THz，实现了氮化镓量子级联结构的大电流密度注入以及太赫兹发射。