InGaN基长波段LED芯片工艺实验数据
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-06-28 收录
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本数据集提供了InGaN 基长波段LED芯片技术研究的相关数据，包括Cu-In键合工艺研究数据、GaN基LED内生集成反向SBD混合器件研制数据、薄基板应力调控研究数据、表面粗化技术数据、低成本厚N电极技术数据、电流扩展研究数据、面向瞄具应用的InGaN长波段LED芯片光提取效率提升数据、芯片P面钝化和反射镜合步光刻研究数据。该数据集可应用于：垂直结构LED芯片的制造方法参考、LED芯片的光电性能对比与评估、LED芯片的性能表征与评估、LED芯片灯珠可靠性的依据、LED与SBD混合器件的制备、面向瞄具应用的InGaN长波段LED芯片的制备及性能研究等。同时为LED照明行业提供参考标准，同时也为双色LED芯片的制备提供基础方法和思路，该LED芯片还具有运用于显示行业的潜能。数据总量1GB.
提供机构：
南昌硅基半导体科技有限公司
