界面电荷转移诱导三维能带填充的研究

通过构筑高质量LaCoO3/LaTiO3异质结构，研究界面电荷转移，及其引起的三维调控。研究发现，在此体系内，由于费米能级高度差，电子从Ti转移至Co。通过第一性原理计算，电荷转移会触发Co-O八面体结构失稳。伴随着氧离子的重新排布，在LaCoO3内部自发形成不同的Co-O构型，即拓扑相变。实验上我们发现，仅通过调控LTO层的厚度，就能够得到不同的La3mCo3mO3m-1超结构。三维的拓扑结构转变触发了三维的电荷调控，微观上对Co能带填充的调控可将3d6完全转变为3d7。我们通过宏观的X射线衍射技术及微观的STEM均证实了此结构相变。结构上转变也引起了LCO磁基态从铁磁绝缘体态转变为反铁磁绝缘体态。数据量为99MB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于通过构建LaCoO3/LaTiO3异质结构，研究界面电荷转移及其引发的三维能带填充调控。研究发现电子转移导致Co-O八面体结构失稳和拓扑相变，从而实现对Co能带填充从3d6到3d7的转变，并伴随磁基态变化。数据包含49个文件，总计103.58MB。