8层Nb基大规模集成电路工艺开发参数

面向大规模电路和高速发展的需求，开展8层Nb基大规模集成电路工艺研究，制定八层集成工艺设计规则，部分参数（如线间距、尺寸缩减值、导通孔洞尺寸、对准容许偏差等）的关键设计指标已达到国际先进水平。关键设计指标的提升及实现，才能实现更高集成度、更快速度的超导集成电路制备。通过一系列工艺优化，突破高临界电流密度约瑟夫森结工艺、超导专用CMP平坦化技术等核心制备技术，开发出八层超导集成电路工艺，大幅提升临界电流密度、金属层数、间距、线宽等关键指标。并经多批次流片验证，为更大规模更高频率的超导集成电路的实现奠定了坚实的工艺基础。