卤素F、Cl、Br掺杂数据
收藏中国科学院中国科学技术大学科学数据中心2026-01-24 收录
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为进一步增强晶界连接性,提高Fe(Se, Te)超导材料磁通钉扎能力,消除体系中的间隙铁,通过卤素F、Cl、Br对Fe(Se, Te)进行了掺杂研究。主要记录了不同元素掺杂后的XRD、偏光显微金相图、温度-磁化率曲线、温度-电阻率曲线图、磁滞回线、临界电流密度与磁场曲线,数据量576 KB。
提供机构:
西北有色金属研究院创建时间:
2026-01-21

为进一步增强晶界连接性,提高Fe(Se, Te)超导材料磁通钉扎能力,消除体系中的间隙铁,通过卤素F、Cl、Br对Fe(Se, Te)进行了掺杂研究。主要记录了不同元素掺杂后的XRD、偏光显微金相图、温度-磁化率曲线、温度-电阻率曲线图、磁滞回线、临界电流密度与磁场曲线,数据量576 KB。