镧系阳离子掺杂及氟氢阴离子掺杂氧化物半导体薄膜研制数据集

本数据集系统收录了近年开展的“镧系阳离子与氟氢阴离子双掺杂氧化物半导体薄膜”研制项目的全流程实验与表征数据。研究采用“薄膜制备-物性表征-机理分析”一体化实测方案，通过磁控溅射、脉冲激光沉积等技术制备了系列掺杂氧化物薄膜样品，并利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、X射线光电子能谱（XPS）等手段完成了薄膜晶体结构、表面形貌与化学成分的多尺度表征；电学性能方面，依托霍尔效应测试系统精准测定了不同掺杂条件下薄膜的载流子浓度与迁移率等关键参数。在此基础上，结合光谱分析与理论计算，深入揭示了镧系阳离子与氟氢阴离子对氧化物半导体中深浅能级缺陷态、载流子输运行为的耦合调控机制，明确了掺杂性能间的构效关系。数据集同时包含关键仪器的校准记录、第三方检测报告及相关成果材料，保证了数据的可靠性与可追溯性。本数据集为高性能透明导电材料、功率电子器件等领域的研究提供了系统的掺杂调控实验依据与机理参考，对推动氧化物半导体材料的理性设计与工艺优化具有重要价值。