8英寸MEMS传感器定制化大背腔刻蚀核心工艺参数数据集

作为MEMS工艺链的核心环节，大背腔刻蚀通过在硅基底上加工出高宽深比的空腔结构，为器件的可动部件释放、功能层隔离以及三维异质集成提供了物理基础。对具有大背腔、大占空比特点的硅片进行深反应离子刻蚀，并对刻蚀后的深度进行表征形成本数据集。本数据集含有8英寸MEMS传感器定制化大背腔刻蚀工艺参数的大背腔刻蚀深度、刻蚀占空比数据，时间范围为2021年–2024年，是在英格尔检测技术服务（上海）有限公司现场监督下，依据测试大纲在上海新微技术研发中心有限公司八寸线洁净室测试所得。采用专业仪器与软件对数据进行测试和处理，最终获得了项目指标要求范围内大背腔刻蚀深度和刻蚀占空比数据。本数据集为8英寸MEMS传感器定制化大背腔刻蚀工艺参数，为MEMS传感器大背腔的刻蚀、温度传感器的工艺支持有着重要的指导意义。