低破片率激光解键合工艺数据

为了解决激光解键合工艺在超薄晶圆封装上面临的生产效率较低、破片率较高，难以满足产业化需求的痛点，为我国抢占先进封装产业的先机，形成标准化的产业示范线，形成本数据集。数据集生成于为2025年10月22日，实验地点为厦门市海沧区雍厝路109号3号楼。数据集包含了通过高倍显微镜检验芯片外观数据以及整面性晶圆芯片破片的数据。数据以PDF、png格式存储，呈现了低破片率激光解键合示范线的良率数据检验。该数据为我国先进封装产业低破片率的激光解键合量产工艺线建立提供了数据支撑。