氧化物垂直沟道器件制备方法及沟道层尺寸测试结果分析的数据

本数据集围绕氧化物垂直沟道器件沟道层尺寸的特性展开，系统收录了氧化物垂直沟道器件沟道层尺寸测试结果分析-第三方测试报告，中国计量科学研究院CNAS证书以及原始数据的图片集。数据采集时间为2024年，内容氧化物垂直沟道器件的TEM图、CAA-IGZO氧化物薄膜晶体管第三方测试报告、实验室许可证书。数据采集过程采用标准化的实验流程，基于国标GB/Z 21738—2008，一维纳米材料的基本结构及高分辨透射电子显微镜检测方法进行，采用场发射扫描电子显微镜及高分辨球差透射电子显微镜进行测试及分析，并结合Gatan Digital Micrograph软件对获得的原始数据进行处理。该数据对于氧化物垂直沟道器件的制备及特性分析具有重要的指导意义，并为后续垂直沟道氧化物晶体管的开发、制备小尺寸氧化物晶体管器件用及2T0C DRAM存储单元的制备具有重要价值。