GaAs量子点光谱及精细结构劈裂数据集

该实验测试数据在2020年9月至2022年2月完成，采集地点在中国科学院半导体研究所2号楼。使用分子束外延设备制备样品，并用自建光谱系统测试了GaAs量子点的精细结构劈裂。实现了高对称GaAs量子点亚10nm精度生长，精细结构劈裂FSS低至7.58μeV。（MBE型号：美国Veeco Gen930，单色仪：Acton公司 SP2500i型可调光栅单色仪，多元探测器：Princeton Instruments的Pixs100型硅基CCD，单元探测器：EG&G公司生产的SPCM-AQR-14型硅基APD，He-Ne激光器激发量子点）。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集包含GaAs量子点的光谱及精细结构劈裂实验数据，采集于中国科学院半导体研究所。通过分子束外延和自建光谱系统，实现了高对称性量子点的亚10nm精度生长，其精细结构劈裂值低至7.58μeV。