基于敏感元件与专用电路一体化低损集成器件的牺牲层释放技术数据

本数据包含无损集成器件的释放材料以及释放要求，包括MEMS牺牲层释放技术，无副产物残留的数据图片，最终得到一体化的释放工艺。类型是文件，共1件。文件采集地点为浙江省绍兴市，采集时间2022年6月至2023年12月，数据来源于芯联集成电路制造股份有限公司的生产线上，逐步将工艺扩开验证，小试/中试/示范工程，完成无损释放技术工艺。数据量1.07MB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于MEMS牺牲层释放技术，提供了释放材料与释放要求，并通过无副产物残留的数据图片展示工艺效果，最终形成集敏感元件与专用电路于一体的低损器件释放工艺。数据来源于芯联集成电路制造股份有限公司的生产线实践，涵盖小试、中试至示范工程阶段，以单个docx文件形式提供，数据量约1.07MB。