基于敏感元件与专用电路一体化低损集成器件的牺牲层释放技术数据

本数据包含无损集成器件的释放材料以及释放要求，包括MEMS牺牲层释放技术，无副产物残留的数据图片，最终得到一体化的释放工艺。类型是文件，共1件。文件采集地点为浙江省绍兴市，采集时间2022年6月至2023年12月，数据来源于芯联集成电路制造股份有限公司的生产线上，逐步将工艺扩开验证，小试/中试/示范工程，完成无损释放技术工艺。数据量1.07MB。