RRAM器件模型仿真数据及分析数据

本数据集涵盖电阻式随机存取存储器（RRAM）器件从微观物理到宏观应用的多尺度仿真结果，旨在揭示导电细丝（CF）形成与断裂机制，并评估器件在神经形态计算中的可靠性。数据集包含关键模型说明文件、相关论文及原始数据。原始数据由三部分构成：多物理模型数据、TCAD 仿真验证数据以及可靠性机理仿真数据。在微观层面，利用 COMSOL Multiphysics求解电—热—离子耦合方程，获得不同扫描电压速率下的瞬态 I–V 数据，以及温度、电势与氧空位分布。这些结果刻画了氧空位迁移驱动的 CF 演化过程，为理解 RRAM 开关机制提供重要依据。在模型验证方面，数据集包含自研 TCAD 框架与 Silvaco TCAD 的对比结果，并提供误差分析，以验证仿真框架的准确性。在可靠性研究中，基于包含 LTP/LTD 行为和写入波动的紧凑模型，数据集模拟了器件非线性与波动对多位写入的影响，提供最终电导分布、脉冲数量统计及其累积概率等关键数据。本数据集系统呈现 RRAM 器件的物理特性、模型可靠性与写入波动行为，为器件建模、结构优化和类脑计算应用提供重要参考。