面向三相电机驱动应用的GaN基器件封装及驱动技术数据集

本数据集依托国家重点研发计划“面向工业电机应用的Si衬底上GaN基功率电子材料与器件”项目产生，主要面向三相电机驱动应用中对GaN功率器件高性能封装及高可靠性驱动技术的研发需求，系统汇集了900V/40mΩ GaN HEMT单管（TOLL封装）、900V/20mΩ GaN HEMT三相桥模块（不并联与并联两种设计）以及面向900V增强型GaN器件的高速单通道驱动IC从设计、仿真到测试验证的全流程数据。数据产生方法包括：封装采用SolidWorks进行结构设计，ANSYS进行热-电多物理场仿真，银浆烧结及环氧注塑等关键工艺制备样品；驱动IC基于Cadence平台设计并流片验证。依据《GB/T 4589.1-2006》及测试大纲委托第三方（中国赛宝实验室、中国测试技术研究院）进行性能测试。数据集主要包含：（1）封装设计数据（仿真报告、结构设计、样品实物）；（2）工艺开发数据（银浆烧结、环氧注塑、键合工艺的试验图及设备图）；（3）高可靠栅驱动技术（高速单通道驱动核心电路、高压容隔离、电平位移电路设计文件及实物、测试报告）；（4）低EMI智能分段驱动技术（自适应分段驱动、可编程dv/dt驱动电路设计及仿真）；（5）Cascode器件驱动技术（负压直驱、Si基串联驱动架构电路设计与板级方案）；（6）研究成果（单管、模块、驱动IC第三方测试报告及大纲，论文、专利、标准、科技报告）。总数据量约2.72GB。本数据集为宽禁带半导体功率器件的封装设计、热管理优化、驱动技术研究提供了完整的技术参考，对推动GaN功率器件在工业电机驱动等领域的国产化应用具有重要支撑作用。