兰州大学离子通道型阻变存储器件数据

由于基于离子通道型的阻变存储器件具有优异的电阻转变特性，建立了离子通道型阻变存储器件数据集，从中可以获得，不同金属阳离子对金属离子通道型阻变存储器件性能的影响规律（包括：Forming电压、Set/Reset电压、高低阻态电阻、Reset电流），不同氧空位浓度下氧空位通道阻变存储器件通道形成的物理过程。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于离子通道型阻变存储器件，记录了不同金属阳离子对器件关键性能参数（包括Forming电压、Set/Reset电压、高低阻态电阻及Reset电流）的影响规律，同时涵盖了不同氧空位浓度下通道形成的物理过程。数据由兰州大学李颖弢创建，包含31个文件（doc、opj、jpg、xls格式），总数据量16.56MB，来源于国家重点研发计划项目“新型高密度存储材料与器件”。