InSb 纳米片基自旋器件物理研究数据集

基本内容介绍：本数据集主要对 InSb 纳米片的电学和磁学输运性质进行了深入的研究，着重分析了具有显著本征半导体行为的纳米片器件中观察到的线性不饱和磁电阻效应。本章所研究的 InSb 纳米片器件均表现出良好的欧姆性质。磁输运测试表明， InSb纳米片磁电阻率在低场区域正比于磁场的平方，但是在高场区域，磁电阻率与磁场呈线性关系，即使在 9 T 的高场下也没有出现饱和迹象。磁电阻率的温度依赖性研究表明：尽管 InSb 纳米片磁电阻率随温度呈非单调变化，但总体上，尤其在室温附近 InSb 纳米片磁电阻率并没有很强的温度依赖性。对多种可能的机制深入讨论分析，排除了电导率空间涨落、多导电通道、材料密度和厚度的空间变化等外禀机制的贡献，最终确认我们所观察到的线性磁电阻很有可能来自于量子磁电阻效应。最后，通过对比实验研究了氧化层与纳米片界面态对器件输运性质的影响。对 InSb 纳米片磁输运的研究，不仅可以帮助我们理解低维窄带隙半导体的磁响应特性，在磁性传感器领域也具有潜在的应用价值。
本数据集主要包含了InSb纳米片的电学和磁学输运性质研究的测试和分析数据，包含的主要数据项如下：InSb纳米片基对应器件的TEM和SEM图；InSb纳米片器件中观察到的线性不饱和磁电阻效应；InSb纳米片器件输出特性（IV测试）；InSb纳米片器件磁电阻效应的衍生分析数据，磁灵敏度和临界磁场等随温度和磁场的依赖关系；去除氧化层后InSb纳米片器件上述输运性质变化的数据。