高迁移率高稳定性氧化物器件阴阳离子掺杂及多层沟道研究数据集

本数据集系统收录了近年开展的“高迁移率高稳定性氧化物器件阴阳离子掺杂及多层沟道研究”研制项目的全流程实验与表征数据。数据集围绕“器件结构设计—电场调控—缺陷与载流子输运机理”三个核心维度，构建了涵盖多层氧化物沟道结构、双栅耦合电场结构及阴阳离子调控策略的多类型 TFT 器件数据体系。通过磁控溅射、原子层沉积等成熟工艺制备多种高迁移率氧化物沟道薄膜，系统获取并整理了不同结构与工艺条件下阴阳离子空间分布特征及量子阱导电沟道相关实验数据。在材料与器件表征方面，数据集包含紫外光电子能谱(UPS)、二次离子质谱(SIMS)、X射线光电子能谱(XPS) 等多尺度表征数据，以及转移特性、偏压温度应力测试和 C–V 测量等系统电学性能数据，全面反映了不同阴阳离子引入方式及其空间分布对沟道缺陷态调控、二维电子气形成及器件稳定性的影响规律。在此基础上，配套提供了能带分析与载流子输运模型相关的数据支撑，用于揭示双栅耦合电场与阴阳离子协同调控下量子阱沟道的形成机理及其对器件性能提升的作用机制。数据集同时包含关键实验条件记录、仪器校准信息及相关验证材料，确保数据的可靠性与可追溯性。该数据集为高性能显示驱动器件及新型氧化物电子器件的结构设计与工艺优化提供了系统的数据支撑与机理参考。