上海微系统所掺杂Ge2Sb2Te5相变材料及器件数据
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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资源简介：
Cr掺杂Ge2Sb2Te5的微观结构和器件性能研究，具体包括以下数据：1）不同组分的Cr-GST薄膜的电阻-温度曲线、保持力、微观结构；2）Cr-GST相变存储单元的I-V, R-V以及疲劳性能。
提供机构：
中科院上海微系统与信息技术研究所
