晶圆级G/h-BN/G异质结薄膜制备工艺、测试数据集

本数据集聚焦于晶圆级石墨烯/六方氮化硼异质结薄膜的制备工艺与性能表征。研究采用外延生长法，通过精确控制化学气相沉积过程中的关键参数，成功制备出具有高迁移率和低掺杂特性的单晶异质结薄膜 。在制备过程中，数据集详细记录了衬底模板的预处理、生长温度以及氢气分压对薄膜质量的影响 。数据集还包含了通过原子力显微镜、光学显微镜及扫描电子显微镜对薄膜形貌与沟道结构的表征数据 。该数据集构建了从衬底质量、生长环境到表征验证的多层级质量控制体系，为高性能二维材料电子器件及基于隧穿效应的传感器研发提供了标准化的实验数据支撑 。