基于55nm与28nm工艺的HCI老化可靠性模型实验数据

本数据集面向先进工艺芯片可靠性研究需求建设，依托国家重点研发计划 “芯片可靠性和良率导向设计方法研究”（项目编号 2022YFB4400400）课题一，在西安电子科技大学国家工程中心采集生成。数据围绕 55nm、28nm 及 22nm 工艺节点 HCI 老化可靠性建模，55nm和28nm耦合模型建模，通过文献采集、实验测试与仿真分析获取，涵盖不同应力条件（电压、温度、时间）下的退化数据、模型参数及验证结果。数据集含 7 个子文件夹，包含原始数据、拟合文件、可视化图像、可执行程序等多种类型文件，为先进工艺器件可靠性模型开发与验证提供关键数据支撑。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集面向先进工艺芯片可靠性研究需求，依托国家重点研发计划项目，聚焦55nm和28nm工艺节点的HCI老化可靠性建模。它通过实验测试与仿真分析，提供了不同应力条件下的退化数据、模型参数及验证结果，包含多种文件类型，为器件可靠性模型开发与验证提供关键数据支撑。