SiC超级结器件过程研究及测试数据

。面向揭示SiC超级结器件内部电荷平衡机制、优化其电学性能的深入研究需求，本数据集旨在为器件结构设计、工艺优化及可靠性评估提供全面的仿真与实验数据支撑。数据集主要面向半导体功率器件物理、器件设计与工艺集成等领域的研究，基于计算机仿真软件与动静态参数测试仪等设备产生，系统记录了不同N柱宽度、PN柱掺杂浓度及终端结构参数对器件抗电荷失配能力、电场分布、击穿电压（BV）、比导通电阻（Ron,sp）及巴利加优值（BFOM）等关键性能的影响规律，并包含了5颗编号样品（3#， 5#， 8#， 9#， 10#）在标准条件（25°C， 43% RH）下依据IEC 60747-2:2016标准测试所得的正向导通特性、反向阻断特性等完备电学性能数据。数据集总容量约为18MB，以结构化的仿真与测试数据（.xlsx）、性能关系图表（.png， .jpg）及标准测试报告（.pdf）等形式组织，为SiC超级结器件的理论研究、性能优化与应用验证提供了坚实、规范的数据基础。