导电探针原子力显微镜（C-AFM）电阻与电流校准测量规范指南

纳米尺度电学特性测量技术可用于评估消费电子、创新量子技术及物联网应用领域开发的纳米材料性能。局部直流电阻与高频阻抗已成为当今先进器件最关键的特性测量参数。目前，导电探针原子力显微镜（C-AFM）与扫描微波显微镜（SMM）是表征这些特性的两大主流技术，但存在实施成本高、操作复杂且缺乏可溯源性等重大缺陷，导致测量结果可靠性不足。EMPIR项目20IND12ELENA旨在率先建立此类测量的可溯源性体系，明确不确定度范围并提升方法的成本效益。在此项目框架下，法国国家计量实验室（LNE）、法国国家科学研究中心（CNRS）与丹麦计量研究所（DFM）在德国联邦材料研究与测试研究所（BAM）、德国物理技术研究院（PTB）和土耳其科学技术研究理事会（TUBITAK）的支持下，联合发布了《导电探针原子力显微镜（C-AFM）电阻与电流校准测量规范指南》，涵盖1fA至μA的直流电流和1kΩ至1TΩ的直流电阻测量，适用于工业应用场景。该指南基于稳健的校准方法、参考样本及简化的不确定度预算，适用于基于I-V曲线的光谱模式和图像模式两种操作方式，且均需保持AFM探针与参考样本扫描表面的持续接触。