Co2MnGa薄膜磁输运性质研究数据集

本数据集主要中我们对分子束外延生长的 Co2MnGa 薄膜进行了系统的研究，着重分析了其低温电阻率反常现象以及不依赖角度的负线性磁电阻效应。结构和磁性表征阐明该样品为 ?2 结构，薄膜具有面内易磁化的特性，且 [110] 方向为其易磁化轴。输运特性的表征中，我们观察到 Co2MnGa 薄膜纵向电阻率在低温下具有反常上升的特性，深入分析表明，低温电阻率的反常很可能是由 3D 增强的 EEI效应所引起的，而不是弱局域化或者轨道双通道近藤效应导致的。随着温度的增大，在中等温度区间，我们发现 Co2MnGa 薄膜中的散射机制由电子-电子相互作用以及电子-声子相互作用共同造成的 |C_m | T^(3/2) 项主导。继续增高温度，则会发现 Co2MnGa 薄膜的电阻率将主要由声子散射决定，而呈现出电阻率随 ? 线性变化的关系。此外，磁输运测量中，我们发现了不依赖于角度的高场负线性磁电阻，研究表明该效应应该是来自于磁场对自旋相关散射的抑制，因此高温段负线性磁电阻效应随温度降低而减弱。更低温度下负磁电阻效应的增强则是因为 3D增强的 EEI 额外贡献的负磁电阻造成的。我们的研究清楚地解释了 Co2MnGa 薄膜各个温区中主导的散射机制。而 Co2MnGa 薄膜较大的 AHC 则很可能表明其费米能级附近存在交叉。最后，我们还测量了 Co2MnGa 薄膜的反常霍尔效应，并研究了其随温度的变化关系，分析了内禀机制和外禀机制对其的贡献。关于Co2MnGa 薄膜物理性质的详细研究，为今后将其应用到自旋器件的研究中大有裨益。此外， Co2MnGa 薄膜还为实现磁性外尔 semimetal 带来了希望。