Si衬底上高性能GaN垂直结构二极管制备技术

GaN垂直结构器件具有可靠性高，电流密度大等显著优势。本成果中的相关研究针对Si衬底GaN垂直结构材料和器件开展研究，通过外延生长中的应力控制优化和漂移层中的杂质浓度，掺杂浓度控制，获得了高厚度，低载流子浓度的GaN漂移层。在此材料基础上，通过改善垂直结构器件的结终端设计，优化器件的电场分布，最终获得了高开关比和高耐压的Si衬底GaN垂直结构二极管器件。