自旋存储单元临界翻转电流数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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资源简介：
本数据集展示了以下工作的原始数据：利用Pt/Co/Ru/AlO2多层膜制成的基于4端霍尔的自旋存储单元，获得了该器件室温下临界翻转电流的数据。
主要数据项包括室温下反常霍尔电阻与临界翻转电流的关系。利用磁控溅射方法制备具有自旋流产生层、磁性层与覆盖保护层的薄膜样品，并通过多步光刻与离子束刻蚀等方法制备磁性存储霍尔器件，随后将样品置于样品托上连接电极与焊盘，将样品放入综合物性测量系统腔内，待温度与磁场条件稳定后，程序控制来回定步长扫描腔内施加的电流，并同时使用程序控制系统外置的电流源与电压表测量器件电阻，结果表明该期间具有显著的自旋轨道矩SOT翻转样品磁化强度效应，记录其翻转临界电流密度，也即霍尔电阻处于高低中间态时的电流密度，结果满足项目指标要求。
提供机构：
中国科学院半导体研究所
搜集汇总
数据集介绍
背景与挑战
背景概述
该数据集提供了基于Pt/Co/Ru/AlO2多层膜制成的自旋存储单元在室温下的临界翻转电流实验数据，核心内容包括反常霍尔电阻与临界翻转电流的关系。实验验证了该器件具有显著的自旋轨道矩（SOT）翻转效应，其临界电流密度满足项目指标要求。
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