28nm STT-MRAM存算一体器件和芯片制备MRAM特性参数和芯片性能指标数据
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资源简介：
该设计数据来源于中电海康集团有限公司，背景为参与大规模、高能效存算一体项目进行器件和芯片制备，为基于MRAM的器件和芯片进行工艺开发的参数，其中包括了MRAM器件特性参数包含MTJ的Rp，Rap，TMR，工艺一致性，良率，写次数，数据保持时间的数据，以及MRAM器件特性参数和芯片性能指标的数据说明。
提供机构：
中电海康集团有限公司
