高性能碳化硅单晶生长设备及大尺寸碳化硅外延生长设备研发及产业化

收集6吋半绝缘SiC长晶炉在高温工艺过程中的可达到的最高温度数据，电源控制精度，温度控制精度，热场移动速度，线圈尺寸精度数据，单位能耗，用于评估设备的稳定控温能力，以及指标对应的1份检测报告。 收集6/8吋（兼容）SiC外延炉在高温工艺过程中的控温精度、温度不均匀性数据，用于评估设备的稳定控温能力，收集SiC外延炉在低压工艺过程中的压力波动数据，用于评估设备的稳定控压能力；采集6/8吋（兼容）SiC外延腔室的极限真空数据、腔室漏率数据，腔室可达到的最高温度数据，最高生长速率，外延片膜厚不均匀性，以及指标对应的2份检测报告、3份支撑数据文件以及6份原始数据。数据45MB.

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集围绕高性能碳化硅单晶生长设备及大尺寸碳化硅外延生长设备的研发与产业化，收集了6吋半绝缘长晶炉和6/8吋兼容外延炉在高温工艺中的温度控制精度、压力波动、极限真空、腔室漏率、生长速率等关键参数，并附有检测报告及原始数据文件，共约47MB的29个文件，用于评估设备在高温和低压条件下的稳定控温控压能力。