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PAM4 LDD和TIA芯片电接口插损数据集

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国家基础学科公共科学数据中心2024-03-05 收录
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https://www.nbsdc.cn/general/dataDetail?id=64edc767bb16e07753c34aca&type=1
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资源简介:
电接口插损是是5G光传输的核心电芯片中的一个重要性能参数,电插损数据基于误码仪、光功率计等设备搭建的电接口插损测试系统产生,主要记录光纤两端光功率,通过调节光纤上的损耗,在保证光功率之差为30 dB的前提下,记录了误码率。
提供机构:
华中科技大学
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