高性能SOT-MTJ阵列

本数据集来源于国家重点研发计划“新型自旋轨道矩材料与高性能存内计算器件”项目（编号2021YFB3601300）的课题三，主要面向将高性能核心存储单元规模化、高良率集成为实际可用存储器阵列的关键技术与工程需求。数据基于项目在8英寸晶圆上完成CMOS工艺后端集成所制备的SOT-MRAM存储阵列芯片，在晶圆级自动测试台或专用FPGA测试板上，通过自动测试设备及March C、棋盘格等标准化测试算法产生。数据集系统记录了存储器阵列的整体功能和基本性能，主要包含了通过全地址扫描测试获得的存储单元功能位图、基于位图统计的阵列整体良率与失效分布、关键读写操作（如存取时间、工作电流）的时序波形与功耗等观测值。这些数据是直接验证“制备SOT-MRAM芯片存储容量≥32 Kb全芯片”这一集成核心指标的完整证据，标志着从离散器件到系统集成的重要跨越，对于评估工艺兼容性、阵列设计合理性及推动芯片走向实用化具有决定性的工程意义。数据集以阵列功能位图（CSV）、时序波形数据（TXT）、良率统计报告及芯片照片（JPEG）为主要内容，为后续存内计算芯片的开发提供了可靠的存储阵列基础。