基于动态氧离子晶体管器件与存储池计算研究

为制备外延氧化物功能薄膜，利用脉冲激光沉积系统进行样品生长，利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、铁电测试仪、原子力显微镜验证生长的薄膜质量。利用紫外曝光及磁控溅射系统制备出晶体管器件，通过半导体参数分析仪测试，验证器件特性满足存储池计算系统的器件性质需求。采集电流数据后，利用Matlab软件模拟进行应用的仿真演示。