高微分增益超晶格有源区和低串联电阻DBR的外延设计和生长数据集

本项目面向低成本中长距离高速光通信对1300nmVCSEL的迫切需求，项目围绕“高速低功耗1300nmVCSEL带宽限制机理与提升机制”关键科学问题，和“高速低功耗1300nmVCSEL制备和测试表征”关键技术问题，研制出高速低功耗1300nmVCSEL芯片，实现高速低功耗1300nmVCSEL中长距离光纤传输示范。本数据集主要记录了高微分增益超晶格有源区和低串联电阻DBR的外延设计和生长研究开展的理论模拟数据和实验数据，数据量24.6MB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集面向高速低功耗1300nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）的研制需求，系统记录了高微分增益超晶格有源区和低串联电阻DBR的外延设计与生长过程的理论模拟和实验数据。数据总量24.6MB，共包含35个文件，涵盖txt、xy、pdf等多种格式，来源于中科院长春光机所承担的国家重点研发计划项目。