Data for: Cobalt Germanide Nanostructure Formation and Memory Characteristic Enhancement in Silicon Oxide Films
收藏doi.org2025-03-24 收录
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Figure S1. C-V characteristics of the annealed samples comprising charge trap layer with Co and Ge alone.
图S1. 仅含钴和锗的充电陷阱层的退火样品的C-V特性曲线
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