DRAM阵列的存储单元特征尺寸及测试结果分析的数据

本数据集围绕垂直沟道氧化物晶体管器件的特性展开，系统收录了垂直沟道氧化物晶体管器件的测试数据及氧化物晶体管器件特性的测试结果分析数据。数据采集时间为2023-2025年，内容包括不同CD下的测试数据，含不同CD尺寸及不同时间下测试的I-V曲线；读写操作的测试数据，包括读操作时器件的电学特性，写操作时器件的电学特性及写操作时largeoff下的电学特性；可靠性测试结果，包括endurance结果，retention结果，NBTS结果，PBTS结果；器件特性的测试结果分析，包括Ion和Ioff数据，阈值电压Vth以及亚阈值摆幅。数据采集过程采用标准化的实验流程，通过采用半导体参数分析仪、半导体测试仪等仪器进行测试和分析，并结合Excel，matlab等软件对获得的原始实验数据进行处理。该数据为垂直沟道氧化物晶体管器件的开发提供基础数据支撑，对于制备出性能优越的垂直沟道IGZO晶体管重要的指导意义，并可以后续开发基于垂直沟道氧化物晶体管的DRAM具有重要价值。