基于国产设备的 6~8 英寸碳化硅衬底材料测试数据
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=67d50eb1195d260905af9966&type=1
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资源简介：
本数据集主要涉及6寸SiC单晶生长研究，包括材料开发过程中的生长设备配置需求、测试设备配置需求、衬底表面粗糙度等数据。本数据汇交技术方案所涉及的所有数据按照项目指标形成1个数据集文件夹（2021YFB3401604-001-基于国产设备的 6~8 英寸碳化硅衬底材料测试数据），数据集大小为3.45M。
提供机构：
湖南三安半导体有限责任公司
