高电源抑制比的多电平异构电源模块相关数据

基于IGCT驱动芯片电源模块功能特性要求，进行IGCT驱动芯片应用电路框图和电源架构设计及理论分析；基于混合信号仿真平台Cadence virtuoso对IGCT电源及信号管理驱动芯片的电源模块开展仿真验证，依据芯片实际应用场景，配置引脚外部电路接线，模拟真实工作环境，并针对性复现实际应用中的关键工况，观测并记录关键节点特性波形，形成数据导出，并进行存储；在具备CNAS资质的第三方实验室，搭建电气性能测试平台，依据通过专家评审的测试方案，通过示波器等观测芯片的特性指标，进行实验数据采集并存储；对比国内外先进集成电路制造工艺，对各工艺特点进行分析比较，选择适用于IGCT驱动芯片制造的隔离工艺。记录了驱动芯片应用电路框图、多阈值电压环路控制解耦的驱动芯片电源架构设计图、LDO与PWM电源模块设计报告、电源模块前仿真PVT验证报告（包括LDO带隙基准电源抑制比及温漂、PWM电源纹波、电源负载调整率仿真）、驱动芯片电源模块第三方测试数据、芯片隔离工艺研究报告及芯片隔离工艺对比表；另外，包含研究内容相关的技术报告、论文和专利。数据量12.4MB。