硅基多层三维光交叉芯片测试数据

课题指标阵列规模≥4×4×3，每层包含≥4×4光交叉连接阵列，任意层间可实现可重构光互连，交叉连接重构时间≤10ns，层内波导损耗≤1dB/cm，层内光交叉连接插损≤3dB，层间耦合结构尺寸≤10μm×10μm，层间耦合效率≥80%，层间三维光交叉连接插损≤4dB，层间波导串扰≤-50dB的数据处理。数据是在实验室环境下，使用可调谐激光器对硅基光波导进行光信号输入，对光功率计进行读数得到的，采用Origin对测试数据作图，得到报告中的相关实验结果图片。在window10及以上环境下，使用Origin软件打开相应文件程序，即可导出相应数据结果。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集提供了硅基多层三维光交叉芯片的测试数据，涵盖了阵列规模、层间耦合效率、插损等关键性能指标。数据通过实验室测试和Origin软件处理获得，包括实验结果图片和可导出的数据文件。