气敏原位表征方法及气敏机理模型数据集

气敏原位表征方法及气敏机理模型数据集主要内容包括目标气体分子和半导体气敏材料在20~150℃温度范围内的作用机制，不同温度下的半导体气敏材料表面微观结构、组成和物相实时演变规律研究，半导体气敏材料主要电参数的原位测量研究，原位表征技术的装置图及对应研究结果、采用密度泛函理论建立的敏感材料与待测气体分子互作用模型。 气敏原位表征方法及机理模型数据集的研究工作是由大连理工大学、中国科学院上海微系统信息研究所于2021年12月至2024年11月完成，详细是通过原位开尔文探针技术研究敏感材料的室温表面功函变化机制、用于半导体异质结敏感材料低温表面反应机制研究原位红外技术、研究敏感材料的电子浓度与电迁移率变化机制的原位霍尔测试技术、原位拉曼光谱研究二氧化碳传感器的低温敏感机制、采用TPR研究不同微观结构的WO3敏感材料表面对氧分子吸附机制、采用DFT对敏感材料与气体分子互作用的电荷转移机制研究的理论模型构建与计算等内容。