氧化镓外延膜载流子浓度数据集

本数据集提供了国家重点研发计划项目“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”（项目编号：2022YFB3505500）中关于低背景载流子氧化镓薄膜电学性能的实测数据。数据样品：氧化镓薄膜的霍尔低背景载流子浓度测试结果。于2025年10月26日在中国计量科学研究院北京市昌平院区采用霍尔效应测试仪（依据GB/T 4326-2006）完成测试，得到氧化镓薄膜样品的载流子浓度和迁移率分别为6.7×10^15cm^-3、149.3 cm^2V^-1s^-1。数据经过第三方权威机构检测，仪器设备均处于校准有效期内，数据真实可靠，可为氧化镓材料电学性能评价、器件设计与仿真提供基础数据支持。