8英寸MEMS传感器定制化专用SOI基板核心结构参数数据集

SOI基板可以实现三维结构的精准定义，在惯性、压力、声学、光学等MEMS器件中具有广泛的应用。本数据集含有8英寸MEMS传感器定制化专用SOI基板的顶硅层厚度、埋氧层厚度和顶硅层表面粗糙度核心结构参数，时间范围为2021年–2024年，是在英格尔检测技术服务（上海）有限公司现场监督下，依据测试大纲在上海新微技术研发中心有限公司八寸线洁净室测试所得。采用专业仪器与软件对数据进行测试和处理，最终获得了项目指标要求范围内顶硅层厚度平均值、最大值、最小值、均一度和厚度分布图；埋氧层厚度平均值、均一度和厚度分布图，以及顶硅层算术平均粗糙度数值和AFM图像。本数据集为8英寸MEMS传感器定制化专用SOI基板核心结构参数，对MEMS专用SOI基板的制造工艺优化、性能表征等方面有着重要的指导意义。