薄膜铌酸锂相干调制器芯片的插入损耗数据集

薄膜铌酸锂相干调制器芯片的插入损耗是衡量其光信号传输效率的关键参数，直接影响系统通信质量与能耗。损耗主要源于波导模式泄露、材料本征吸收、端面耦合失配及界面散射等因素。通过优化波导结构设计、提升薄膜结晶质量、降低刻蚀粗糙度及改进光纤耦合工艺，可有效抑制损耗。降低插入损耗对提升高速光通信系统性能、推动高密度光子集成应用至关重要，需结合材料优化与工艺创新持续突破。