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Data for: Formation mechanism of high Ge content SiGe epilayer on Si by liquid phase epitaxy using Ge-Sn Solution

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NIAID Data Ecosystem2026-03-11 收录
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https://data.mendeley.com/datasets/rzj4dt999v
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资源简介:
A typical surface morphology of the high Ge content SiGe epilayer prepared on Si(111) substrate.
创建时间:
2020-04-27
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