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THz Diode Technology: Status, Prospects, and Applications
THz Diode Technology: Status, Prospects, and Applications
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DataCite Commons
2024-05-07 更新
2025-04-16 收录
太赫兹技术
半导体器件
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http://dataverse.jpl.nasa.gov/citation?persistentId=doi:10.48577/jpl.SOJ18W
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资源简介:
No abstract available.
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提供机构:
Root
创建时间:
2022-11-15
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高频高功率毫米波光子混频器模块耐受反向偏压数据
半导体器件
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面向高反偏电压工作环境下的模块可靠性设计需求,耐受反向偏压是指半导体器件在施加与正常工作方向相反的电压时,仍能保持稳定运行的能力,通常用于评估器件的可靠性与稳定性,基于光电探测器反向偏压评估影响模块的可靠性和击穿特性研究。产生方法通过逐步增加反向偏压,测试模块的漏电流、击穿电压等参数,并记录模块是否正常工作。数据内容主要包括了“芯片耐受反向偏压结果.jpg”, “模块耐受反向偏压结果.jpg”
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