Muonium in BeO
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BeO is a promising material in order to improve HfO2-based MOSFET devices, and a candidate substitute of HfO2 as high-k gate material. The electrical properties of BeO can be...
氧化铍（BeO）是一种极具应用潜力的材料，可用于优化基于二氧化铪（HfO2）的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，同时亦可作为二氧化铪（HfO2）作为高k栅介质材料的候选替代材料。氧化铍的电学性能可……
