Micro-LED芯片的电致发光谱曲线

本数据主要面向针对基于光敏聚合物的巨量转移技术需求建设，评估Micro-LED转移前后光学性能、电学特性是否发生变化。基于半导体器件物理模型，利用探针台等仪器记录了芯片转移前后的Micro-LED的电学特性特别是I-V曲线。通过I-V曲线，抽取相应电学参数如电阻、反向漏电流、开取电压等，并比较相关参数的差异；基于电致发光模型，利用光谱仪测量了Micro-LED芯片的光谱特性（如半高宽、峰值强度、峰值波长等）与驱动电压的关系。从而判断巨量转移技术是否对Micro-LED的光电特性是否存在影响，数据量335KB。