Cr2Ge2Te6_MoSe2异质结谷极化率的电学和磁学调控数据集

本项目采用范徳华转印堆垛技术制备了少数层铁磁半导体Cr2Ge2Te6与单层MoSe2耦合的新型自旋功能异质结。在该型异质结中MoSe2的能谷极化率可被电场和磁场有效调控。磁场下能谷劈裂以及温度依赖的谷极化率结果表明Cr2Ge2Te6的磁交换相互作用很可能导致了这种调控。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集基于范德华转印堆垛技术，制备了少数层铁磁半导体Cr2Ge2Te6与单层MoSe2耦合的自旋功能异质结。研究显示，异质结中MoSe2的能谷极化率可通过电场和磁场有效调控，这可能与Cr2Ge2Te6的磁交换相互作用相关。