MMI-MZI型模式不敏感开关模拟及验证数据集

围绕国家信息领域中高端光电子芯片与器件国产化等国家战略性需求，开展模式开关的研究，演示了一种具有小半径双模 S 形弯曲的二氧化硅波导热光学模式开关。 级联多模干涉耦合器用于实现 E11 和 E21 模式选择输出。 设计优化采用了光束传播方法。 在制造过程中采用了紫外光刻、化学气相沉积和等离子刻蚀等标准 CMOS 工艺。 对制备好的开关进行了详细的表征，以确认其制造的精确性。 测量结果表明，在 1530 至 1575 nm 波长范围内，对于 E11 模式输入，开关的消光比≥ 13.1 dB，串扰≤ -22.8 dB（电驱动功率为 284.8 mW）；而对于 E21 模式输入，开关的消光比≥ 15.5 dB，串扰≤ -18.1 dB（电驱动功率为 282.4 mW）。 这些结果证明了多模 S 弯在模式切换中的可行性。 良好的性能保证了所展示的开关在片上模式路由方面的潜力。