亚10纳米高性能碳管CMOS器件制备数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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资源简介：
亚10纳米高性能碳管CMOS器件制备数据集是由北京大学电子系物理电子所建立的一个数据集，北京大学物理电子所基于碳纳米管薄膜，成功构建高性能亚10nm碳管CMOS器件。在本数据集中，记录了亚10nm碳管CMOS器件有效栅长，p型和n型器件有效栅长均小于10nm，本征门延时均小于0.1 ps，室温亚阈值摆辐小于75mV/dec。
提供机构：
北京大学
