高速直调波长可调谐激光器的器件设计、制备与表征数据

可调谐激光器技术随着密集波分复用（DWDM）技术的发展不断成熟，目前主要集中在如何提高波长调谐范围和输出功率，以及实现与马赫曾德调制器(MZI)、电吸收调制器的集成。2013 年Eindhoven 大学等研究了可调谐激光器与MZI 调制器的集成，调制速率达到12.5 Gb/s，输出功率4 dBm，调谐范围9 nm。2013 年浙江大学报道了调谐范围30 nm 的V-腔可调谐激光器，但直调速率仅为3.125 Gb/s。2014 年中科院半导体所采用选区外延生长及对接生长技术，研制出直调速率达10 Gb/s的可调谐DBR 激光器，波长调谐范围达12 nm；同年实现了其与电吸收调制器（EAM）的集成。2016年Finisar实现了10 Gb/s数据20 km传输, 波长调谐范围达12 nm。当前WDM-PON用的高速可调谐激光器还存在成本高、工温条件可靠性不高等问题，需要通过产业链推动解决。高速直调可调谐激光器具有制作工艺相对简单，理论单模成品率高，通过对接技术可以提升波长调谐范围，通过两只激光器可以覆盖C波段等优点，可以满足下一代接入网对高速可调谐激光器的需求。本课题正是围绕“高速直调可调谐激光器”来展开研究的。本数据集主要面向“高速直调波长可调谐激光材料与激光器”课题的数据记录和分析处理过程，数据量为13.8Mb/62个文件。