高性能SOT薄膜和SOT-MTJ器件数据保持特性研究

本数据集来源于国家重点研发计划“新型自旋轨道矩材料与高性能存内计算器件”项目（编号2021YFB3601300）的课题三，主要面向非易失性存储器在断电情况下长期、稳定保存数据（通常要求超过10年）的核心可靠性与应用需求。数据基于项目所集成制备的自旋轨道矩磁性隧道结器件，在精密温控与磁场环境中，通过源测量单元、电磁铁及自动化测试系统产生的统计性测试数据。数据集系统记录了决定信息存储长期稳定性的根本物理参数——热稳定因子Δ，主要包含了在特定温度和系列磁场下，对同一器件进行数百次重复扫描所获取的隧穿磁电阻-磁场曲线、基于大量统计数据计算得到的磁矩翻转概率随磁场的变化关系，以及通过标准模型拟合最终获得的热稳定因子Δ等关键观测值与参数。这些数据是间接验证“实现SOT-MTJ器件数据保持时间≥10年”（即Δ≥40.2）这一核心可靠性指标的理论与实验依据，对于评估存储单元的抗热涨落能力、预测其在不同工作温度下的数据留存寿命具有根本性的科学意义与工程指导价值。数据集以海量原始R-H曲线数据（CSV）、统计分析结果（TXT）及拟合报告（JPEG/PDF）为核心内容，为新型存储器的非易失性性能提供了坚实的量化基准。