Evolution of point defects in pulsed-laser-melted Ge1-xSnx probed by positron...

B2FIND2026-04-29 收录

半导体材料缺陷

正电子湮没

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Rohdaten und analysedaten der Publikation

该出版物的原始数据与分析数据

MAPbI3 positron annihilation lifetime spectra

材料科学

正电子湮没

MAPbI 3 crystal (University of Dundee) Positron implantation energy 4 keV: MAPI_DX_0004.datPALSfit analysis MAPI_DX_0004.outPositron implantation energy 16 keV: MAPI_DX_0016.datPALSfit analy

DataCite Commons2021-08-29 更新140

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Mendeley Data2024-01-31 更新70

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恒星核合成

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We propose a deep 6 Ms exposure of the Cygnus X region as a multi-year INTEGRAL key program in order to answer a number of central questions related to stellar nucleosynthesis and positron production

DataCite Commons2025-03-14 更新50

一种高效率多通道正电子湮没寿命测量方法及装置

正电子湮没

寿命测量

本发明公开了一种高效率多通道正电子湮没寿命测量方法及装置。本方法为：1）利用多个探测器探测目标放射源的正电子所产生的瞬发伽马光子和正电子湮没的伽马光子并将其转换为模拟信号发送给采样电路；2）采样电路负责对各探测器产生的模拟信号进行采样和数字化处理后上传至上位机；3）上位机对上传数据进行分析处理，得到目标放射源的正电子湮没寿命。所述采样电路包括触发模块、采样模块、数字化模块和控制模块，控制模块根据

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正电子湮没

多孔材料表征

Positronium data of Maltodextrin at variable humidity levels.

B2FIND70